Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: GB35XF120K
Availability: InStock
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K

Artikelnummer:

GB35XF120K

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

IGBT MODULE 1200V 50A 284W

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments GB35XF120K.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200 V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 50A
Supplier Device-Gehäuse	-
Serie	-
Leistung - max	284 W
Verpackung / Gehäuse	ECONO2
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Chassis Mount

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	3.475 nF @ 30 V
Eingang	Standard
IGBT-Typ	NPT
Strom - Collector Cutoff (Max)	100 µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	50 A
Konfiguration	Three Phase Inverter
Grundproduktnummer	GB35
GB35XF120K Einzelheiten PDF [English]	GB35XF120K PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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